Las placas fotovoltaicas con semiconductor III-V se utilizan en tecnología de concentración fotovoltaica de tipo multi-juntura.,Según Frank Dimroth, de este departamento, se ha conseguido optimizar las estructuras de contacto de las células solares y como resultado, utilizando el mismo semiconductor se alcanza una mayor eficiencia”. La estructura frontal es decisiva. En la rejilla frontal, la electricidad es conducida a través de una red de finos alambres (ver foto) desde el centro de la célula hasta el exterior, donde es recogida por un hilo de oro de 50 micras. Bajo luz concentrada, la estructura de la red metálica es decisiva. Por un lado, los hilos deben ser lo suficientemente grandes como transportar la potencia generada en la solar de concentración; por otro lado, deben ser lo más pequeños posibles porque la luz no los atraviesa y no puede ser aprovechada para convertirla en electricidad. módulos

Concentradores Fotovoltaicos para el mercado

Durante los dos últimos años, el Instituto Fraunhofer está trabajando en un programa para el cálculo teórico de estructuras de contacto optimizadas. Gracias a este programa, financiado por el Proyecto Fullspectrum de la UE, se han conseguido los últimos récords de eficiencia en células solares. Este tipo de células son especialmente adecuadas para situaciones de luz concentrada. “Estamos muy complacidos de haber dado un paso tan decisivo en tan poco tiempo”, asegura el Dr. Andreas Bett, Jefe de Departamento en el Fraunhofer. “Estos récords ayudan a esta joven tecnología a convertirse en competitiva para el mercado y a reducir los costes de producir electricidad mediante energía solar”.

Placas fotovoltaicas en el espacio

En realidad, existen tecnologías solares que permiten eficiencias aún mayores que la mencionada en este artículo, pero debido a los altos costes de material y fabricación, sólo se utilizan en la carrera espacial. Una de estas células es la llamada metamórfica, con más de 30 capas superpuestas, depositadas sobre una base de germanio, y fabricadas a base de Ga0.35In0.65P, Ga0.83In0.17As y Ge.